аттенюатор Д2-45

Д2-45 аттенюатор емкостной предназначен для расширения пределов измерения напряжений импульсных вольтметров при работе в лабораторных и цеховых условиях, а также в условиях стационарных и передвижных радиомастерских.   Сфера применения: проведение исследований, производство и обслуживание радиоэлектронной аппаратуры и ее отдельных узлов.   Аттенюаторы Д2-45 позволяют производить измерения при наличии поля ультравысоких частот.   Технические характеристики Д2-45:   Верхние пределы измерения амплитудных значений напряжений - 15 кВ; 50 кВ. Коэффициент деления в позициях 15 кВ и 50 кВ соответственно - 1:300; 1:1000. Погрешность коэффициентов деления аттенюатора Д2-45- не более ±10%.   Неравномерность частотной характеристики фильтра: - на частоте до 20 МГц - не более ±4 дБ; - на частоте 50 МГц ослабление - не менее 20 дБ.   Неравномерность частотной характеристики Д2-45 при работе с вольтметром типа ВЛИ-2 или В4-2 при верхних пределах 15 кВ и 50 кВ на частоте 50 Гц относительно частоты 400 Гц - не более ±5%. Входная емкость - не более 12 пФ.   Габариты: - высота - не более 380 мм; - диаметр с выступающими частями - не более 230 мм. Масса - не более 7,5 кг.   Для обеспечения работы Д2-45 при наличии поля высокой частоты в пространстве, окружающем его, к аттенюатору придается фильтр, защищающий вход вольтметра от высокой частоты.   Условия эксплуатации:   Температура окружающего воздуха - от +10° С до +35° С. Относительная влажность при температуре +20° С - 80%.   Аттенюаторы Д2-45 могут встраиваться в генераторы сигналов, измерительные приемники, измерители мощности и другие средства измерений для обеспечения развязки отдельных блоков приборов и получения калиброванного ослаблении сигналов.   Принцип действия Д2-45 основан на ослаблении проходящей по коаксиальной линии электромагнитной энергии при ее поглощении в элементах линии с активными сопротивлениями или делении ее с помощью емкостей.   В качестве поглощающих элементов используются поверхностные резисторы, толщина поглощающего слоя которых меньше глубины скин-эффекта.